FQD1N80TM
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包装
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卷带式 (TR)
切割胶带 (CT)
Digi-Reel®
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零件状态
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积极的
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场效应晶体管类型
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N沟道
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技术
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MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
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漏源电压 (Vdss)
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800伏
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电流 – 连续漏极 (Id) @ 25°C
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1A（Tc）
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驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
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10伏
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Rds On（最大值）@ Id、Vgs
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20欧姆@500mA，10V
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Vgs(th)（最大值）@Id
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5V @ 250µA
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栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
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10 V 时 7.2 nC
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电压门限（最大值）
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±30V
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输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
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195 pF @ 25 V
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场效应晶体管特性
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–
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功耗（最大）
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2.5瓦（Ta），45瓦（Tc）
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工作温度
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-55℃～150℃（结温）
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年级
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–
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资格
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–
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安装类型
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表面贴装
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供应商器件封装
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TO-252AA
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封装/箱体
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TO-252-3，DPAK（2 引脚 + 接片），SC-63
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基础产品编号
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FQD1N80
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