FQD1N80TM

FQD1N80TM

零件编号: FQD1N80TM
产品分类: 固态继电器(SSR)
制造商: ADDA USA
描述: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
包装: -
ROHS状态: No
货币: USD
PDF: 资料
包装
卷带式 (TR)
切割胶带 (CT)
Digi-Reel®
零件状态
积极的
场效应晶体管类型
N沟道
技术
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
漏源电压 (Vdss)
800伏
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
1A(Tc)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10伏
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
20欧姆@500mA,10V
Vgs(th)(最大值)@Id
5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
10 V 时 7.2 nC
电压门限(最大值)
±30V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
195 pF @ 25 V
场效应晶体管特性
-
功耗(最大)
2.5瓦(Ta),45瓦(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(结温)
年级
-
资格
-
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-252AA
封装/箱体
TO-252-3,DPAK(2 引脚 + 接片),SC-63
基础产品编号
FQD1N80

规格